电子元器件种类发展史电子元器件种类发展史图伞齿轮
发布时间:2023-03-22 10:21:35
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1、安徽圣伟达自动化科技有限公司。安徽省蚌埠市兴中路985号(日月科技园)4号楼3楼。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术,二十世纪发展最迅速,应用最广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志……。电子元器件发展史其实就是一部浓缩的电子发展史。电子技术是十九世纪末、二十世纪初开始发展起来的新兴技术,二十世纪发展最迅速,应用最广泛,成为近代科学技术发展的一个重要标志。
2、1906年,美国发明家德福雷斯特()发明了真空三极管(电子管)。第一代电子产品以电子管为核心。四十年代末世界上诞生了第一只半导体三极管,它以小巧、轻便、省电、寿命长等特点,很快地被各国应用起来,在很大范围内取代了电子管。五十年代末期,世界上出现了第一块集成电路,它把许多晶体管等电子元件集成在一块硅芯片上,使电子产品向更小型化发展。
电子元器件种类发展史相关拓展
电子元器件种类发展史图片
中性近似中性近似:假设耗尽区以外多子浓度等于电离杂质浓度,因而保持电中性。这时这部分区域又可称为‚中性区‛‚中性区‛。内建电场达到最大值,由上式可求出NN区与区与PP区的耗尽区宽度区的耗尽区宽度及总的耗尽区宽度,总的耗尽区宽度,称为约化浓度约化浓度。在通常的掺杂范围和室温下,硅的硅的VVbibi约为约为0.75V0.75V,锗的,锗的VVbibi约为约为0.35V0.35V。
主要取决于低掺杂一侧的杂质浓度。由此可画出平衡PN结的能带图如下图所示。再利用‚载流子浓度载流子浓度载流子能量载流子能量的关系,就可进一步求出电子和空穴的浓度分布。内建电势为结),内建电场的分布可近似为直角三角形。max平衡时外加正向电压时外加电场内建电场面积为Vbi2.2非平衡状态下的p-n结及势垒电容势垒高度的降低不能再阻碍N区电子向P区的扩散及P区空穴向N区的扩散,于是形成正向电流。
电子元器件种类发展史图
电子管(热离子管)是最早的电子元件之一。他们在二十世纪上半叶的电子革命中几乎无处不在。他们支持更复杂的系统并为我们带来了无线电、电视、唱片、雷达、长途电话等等。直到20世纪80年代中期,它们在微波和高功率传输以及电视接收机领域发挥了主导作用。固态设备几乎已经完全被接替。真空管仍在一些专业应用中使用,如高功率射频放大器、阴极射线管、专业音响设备、吉他放大器和一些微波设备。
1955年4月,IBM608成为第一个使用无真空管的纯晶体管电路的IBM产品,这被认为是第一个为商业市场制造的全晶体管电路计算器。608包含3000多个锗晶体管。ThomasJ.WatsonJr.下令所有未来的IBM产品在设计中使用晶体管。
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